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富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件

作者:管理員    時(shí)間:2013-7-26 12:48:57    閱讀次數(shù):9923

上海,2013年07月23日 — 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off),相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件,品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通半導(dǎo)體的GaN功率器件,用戶可以設(shè)計(jì)出體積更小,效率更高的電源組件,可廣泛的運(yùn)用于家電、ICT設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域。

圖1. MB51T008A

MB51T008A具有許多優(yōu)點(diǎn),包括:1)導(dǎo)電阻13 mΩ,總柵極電荷為16 nC,使用相同的擊穿電壓,實(shí)現(xiàn)的品質(zhì)因數(shù)(FOM)大約是基于硅的電源芯片產(chǎn)品的一半;2)使用WLCSP封裝,更小的寄生電感和高頻率操作;3) 專有的柵極設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)默認(rèn)關(guān)閉狀態(tài),可進(jìn)行常關(guān)操作。新產(chǎn)品是數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)產(chǎn)品和汽車電源中使用的DC-DC轉(zhuǎn)換器的高邊開關(guān)和底邊開關(guān)的理想選擇。此外,由于其支持電源電路中更高的開關(guān)頻率,電源產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃于2013年7月起開始提供樣片,并于2014年開始批量生產(chǎn)。

除了提供150 V的耐壓值產(chǎn)品,富士通半導(dǎo)體還開發(fā)了耐壓為600 V 和 30 V的產(chǎn)品,從而有助于在更寬廣的產(chǎn)品領(lǐng)域提高電源效率。這些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世紀(jì)80年代來牽頭開發(fā)的HEMT (高電子遷移率晶體管)技術(shù)。富士通半導(dǎo)體在GaN領(lǐng)域擁有大量的專利技術(shù)和IP ,可迅速將GaN功率器件產(chǎn)品推向市場(chǎng)。富士通半導(dǎo)體還計(jì)劃與客戶在各個(gè)行業(yè)建立合作伙伴關(guān)系,以進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)。

富士通半導(dǎo)體將于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN產(chǎn)品。時(shí)間:2013年7月17-19日,地點(diǎn):日本東京國(guó)際博覽中心。公司會(huì)提供性能有進(jìn)一步提高的具有2.5KW輸出功率的電源原形產(chǎn)品和測(cè)試數(shù)據(jù), 該產(chǎn)品的高頻PFC模塊和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器采用了600V耐壓的GaN功率器件。

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